Профиль » Публикация
Опубликовано
2004-00-00
ОрганизацияТбилисский государственный университет им. И. Джавахишвили, 380028 Тбилиси, Грузия e-mail: Usc@ictsu.tsu.edu.ge   marina@ictsu.tsu.edu.ge
ЖурналЖурнал Технической Физики
О новом комбинационном механизме захвата горячих электронов в полупроводнике
Качлишвили З.С., Хизанишвили М.Г., Хизанишвили Э.Г. О новом комбинационном механизме захвата горячих электронов в полупроводнике // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 2, Стр. 13
Аннотация
Предложен новый комбинационный механизм рекомбинации --- ударнотепловой (УТ). Вычислено соответствующее сечение захвата. Установлены области электрических полей, для которых указанный механизм входит в силу и становится доминирующим над лэксовским каскадным механизмом. Вычисления проводились для n-типа образцов с разными концентрациями нейтральных атомов примеси N0 и степенями компенсации K.
http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/02/p13-16.pdf
Показать статистику Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален
