Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 Организация1&nbsp;Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), 124498 Москва, Россия 2&nbsp;Закрытое акционерное общество &#92;glqq Элма--Малахит&#92;grqq, 124460 Москва, Россия 3&nbsp;Федеральное государстве ЖурналЖурнал Технической Физики

Электрофизические свойства GaAs слоев и&nbsp;особенности характеристик детекторов частиц высоких энергий на их основе

Беспалов В.А., Воронцов А.В., Горбацевич А.А., Егоркин В.И., Жигальский Г.П., Ильичев Э.А., Кулаков А.В., Налбандов Б.Г., Пантуев В.С., Распутный В.Н., Свешников Ю.Н., Шмелев С.С. Электрофизические свойства GaAs слоев и особенности характеристик детекторов частиц высоких энергий на их основе // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 3, Стр. 28

Аннотация Представлены результаты экспериментальных комплексных исследований взаимосвязи свойств исходных монокристаллических пластин и эпитаксиальных структур арсенида галлия со спектрометрическими пороговыми характеристиками детекторов ионизирующих излучений на их основе.