Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияНаучно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, 198504 Санкт-Петербург, Россия e-mail: gorbunov@paloma.spbu.ru ЖурналЖурнал Технической Физики


Температура электронов в распадающейся плазме криптона в присутствии слабых электрических полей
Горбунов Н.А., Колоколов Н.Б., Латышев Ф.Е., Мельников А.С.
Горбунов Н.А., Колоколов Н.Б., Латышев Ф.Е., Мельников А.С. Температура электронов в распадающейся плазме криптона в присутствии слабых электрических полей // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 5, Стр. 30
Аннотация При помощи зондовой диагностики и теоретического анализа исследовано влияние слабых электрических полей на величину средней энергии электронов в плазме послесвечения криптона. Показано, что в рассматриваемых условиях, когда средняя энергия электронов меньше энергии, соответствующей минимуму транспортного сечения рассеяния, степень ионизации плазмы существенным образом влияет на вид функции распределения электронов по энергии (ФРЭЭ). Неравновесный вид ФРЭЭ приводит к концентрационной зависимости коэффициента амбиполярной диффузии, изменению радиального распределения плотности заряженных частиц, росту амбиполярной разности потенциалов в плазме и скорости диффузионного распада. Указанные эффекты приводят к значительному увеличению диффузионного остывания электронов, что может являться определяющим фактором, влияющим на баланс энергии электронов в тяжелых инертных газах.
Ключевые слова публикации:
     

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален