Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 Организация1&nbsp;Физико-технический институт им.&nbsp;А.Ф.&nbsp;Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия 2&nbsp;Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), 190013 Санкт-Петербург, Россия e-mail: alex@mdla ЖурналЖурнал Технической Физики

Высокоскоростное внедрение в&nbsp;SiC керамику с&nbsp;различной пористостью

Власов А.С., Зильбербранд Е.Л., Кожушко А.А., Козачук А.И., Синани А.Б., Слуцкер А.И., Бетехтин В.И., Орданьян С.С.

Власов А.С., Зильбербранд Е.Л., Кожушко А.А., Козачук А.И., Синани А.Б., Слуцкер А.И., Бетехтин В.И., Орданьян С.С. Высокоскоростное внедрение в SiC керамику с различной пористостью // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 5, Стр. 62

Аннотация Исследовалась кинетика внедрения удлиненных деформируемых ударников в SiC керамики различной пористости. Внедрение в керамики можно представить как двустадийный процесс. На первой стадии наблюдаются минимальная скорость внедрения и максимальная скорость сокращения длины ударника. Именно эта стадия характеризуется наибольшим сопротивлением керамик внедрению. На второй, квазистационарной, стадии кинетика внедрения в керамику подобна кинетике внедрения в среду, лишенную прочности с преимущественно инерционным сопротивлением внедрению. Показано, что величина сопротивления внедрению на первой стадии коррелирует с твердостью керамики и сильно зависит от ее пористости.