Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 Организация1 Научно-образователный центр &#92;glqq Физика твердотельных наноструктур&#92;grqq Нижегородского государственного университета им.&nbsp;Н.И.&nbsp;Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия e-mail: spm@phys.unn.ru 2 Научно-исследовательс ЖурналЖурнал Технической Физики

Влияние селективного химического травления на диаграмму направленности излучения полупроводникового лазера

Мишкин В.П., Филатов Д.О., Некоркин С.М., Кутергина Ю.В.

Мишкин В.П., Филатов Д.О., Некоркин С.М., Кутергина Ю.В. Влияние селективного химического травления на диаграмму направленности излучения полупроводникового лазера // ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 7, Стр. 78

Аннотация Исследовано влияние селективного жидкостного химического травления излучающей поверхности полупроводниковых лазеров на основе InGaP/GaAs с квантовыми ямами InGaAs на диаграмму направленности их излучения в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу. Методом атомно-силовой микроскопии установлено, что за счет разной скорости травления материалов широкозонных слоев (InGaP) и активной области лазеров (GaAs, InGaAs) на излучающей поверхности происходит самоформирование цилиндрической линзы (собирающей или рассеивающей в зависимости от вида травителя). Показано, что, подбирая соответствующее время травления, возможно изменять ширину диаграммы направленности лазера в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу, в пределах 57-82o при исходной ширине диаграммы направленности на уровне 1/2 максимума, равной 66o.