Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияНаучно-исследовательский институт физики им.&nbsp;В.А.&nbsp;Фока при Санкт-Петербургском государственном университете, 198504 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал Технической Физики

Электронная структура интерфейсов PTCDA/GaAs и&nbsp;NTCDA/GaAs

Комолов С.А., Аляев Ю.Г., Потюпкин Н.В., Бузин И.С.

Комолов С.А., Аляев Ю.Г., Потюпкин Н.В., Бузин И.С. Электронная структура интерфейсов PTCDA/GaAs и NTCDA/GaAs // ЖТФ, 2005, том 75, выпуск 2, Стр. 73

Аннотация Были проведены исследования процесса формирования интерфейсов между органическими полупроводниковыми материалами PTCDA и NTCDA и поверхностью монокристалла GaAs (100). Применение спектроскопии полного тока позволило проследить особенности формирования интерфейсной электронной структуры. Между обоими органическими материалами и подложкой GaAs образуется связь за счет затягивания на подложку pi-электронного облака ароматического ядра молекул. При этом наблюдаются модификация соответствующих электронных состояний молекул интерфейсного слоя, а также возникновение диполя на интерфейсе.