Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.&nbsp;А.Ф.&nbsp;Иоффе&nbsp;РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия e-mail: Sergei.Davydov@mail.ioffe.ru ЖурналЖурнал Технической Физики

О&nbsp;параметрах установки, определяющих скорость роста эпитаксиальных слоев карбида кремния в&nbsp;вакууме

Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Савкина Н.С., Волкова А.А.

Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Савкина Н.С., Волкова А.А. О параметрах установки, определяющих скорость роста эпитаксиальных слоев карбида кремния в вакууме // ЖТФ, 2005, том 75, выпуск 4, Стр. 114

Аннотация Обобщение модели, развитой в [5], позволило рассмотреть влияние геометрии ростовой ячейки, градиентов температуры и давления на скорость роста эпитаксиальных слоев SiC в вакууме. Обсуждаются полученные экспериментальные данные по зависимости температуры подложки от тока в индукционной катушке для различных положений ячейки относительно индуктора.