Профиль » Публикация
Опубликовано
2005-00-00
ОрганизацияБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Белоруссия e-mail: s2ign@tut.by
ЖурналЖурнал Технической Физики
Осцилляции туннельного магнитосопротивления в структуре ферромагнетик/диэлектрик/ферромагнетик
Игнатенко С.А., Данилюк А.Л., Борисенко В.Е. Осцилляции туннельного магнитосопротивления в структуре ферромагнетик/диэлектрик/ферромагнетик // ЖТФ, 2005, том 75, выпуск 6, Стр. 8
Аннотация
Разработана модель спин-зависимого транспорта электронов через структуру ферромагнетик/диэлектрик/ферромагнетик, учитывающая силы изображения, параметры туннельного барьера, эффективные массы туннелирующего электрона в барьере и ферромагнетике в рамках приближения свободных электронов. Расчеты, проведенные для структуры железо/оксид алюминия/железо, показывает, что туннельное магнитосопротивление с ростом прикладываемого напряжения монотонно убывает, а затем наблюдаются затухающие осцилляции, которые связаны с интерференцией волновых функций электронов в области проводимости потенциального барьера. Силы изображения увеличивают туннельное магнитосопротивление в 2-3 раза.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален