Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 Организация1Ташкентский государственный авиационный институт, 700047 Ташкент, Узбекистан 2Физико-технический институт Научно-производственное объединение &#92;glqq Физика-Солнце&#92;grqq АН Узбекистана, 3Институт кристаллографии им.&nbsp;А.В.&nbsp;Шу ЖурналЖурнал Технической Физики

Особенности формирования пленок высшего силицида марганца на&nbsp;кремнии

Камилов Т.С., Кабилов Д.К., Самиев И.С., Хуснутдинова Х.Х., Муминов Р.А., Клечковская В.В.

Камилов Т.С., Кабилов Д.К., Самиев И.С., Хуснутдинова Х.Х., Муминов Р.А., Клечковская В.В. Особенности формирования пленок высшего силицида марганца на кремнии // ЖТФ, 2005, том 75, выпуск 8, Стр. 140

Аннотация Исследованы особенности формирования пленок высшего силицида марганца (ВСМ) на кремнии и их граница раздела. На основе анализа морфологии поверхности и тонкого переходного слоя на границе раздела ВСМ-Si предполагается, что рост пленок ВСМ методом реактивной диффузии Mn обусловлен механизмом пар-жидкость-кристалл.