Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 Организация1 Институт физики полупроводников им.&nbsp;В.Е.&nbsp;Лашкарева НАН Украины, 03028 Киев, Украина e-mail: klyui@isp.kiev.ua * Presently at Hahn-Meitner-Institut Berlin, 12489 Berlin, Germany 2 Физико-технический институт Научно-производственное объе ЖурналЖурнал Технической Физики

Влияние условий осаждения на просветляющие свойства алмазоподобных углеродных пленок для солнечных элементов на&nbsp;основе кремния

Клюй Н.И., Литовченко В.Г., Лукьянов А.Н., Неселевская Л.В., Сариков А.В., Дыскин В.Г., Газиев У.Х., Сеттарова З.С., Турсунов М.Н.

Клюй Н.И., Литовченко В.Г., Лукьянов А.Н., Неселевская Л.В., Сариков А.В., Дыскин В.Г., Газиев У.Х., Сеттарова З.С., Турсунов М.Н. Влияние условий осаждения на просветляющие свойства алмазоподобных углеродных пленок для солнечных элементов на основе кремния // ЖТФ, 2006, том 76, выпуск 5, Стр. 122

Аннотация Исследовано влияние условий осаждения на просветляющие свойства алмазоподобных углеродных пленок для кремниевых солнечных элементов. Рассчитаны значения плотности тока короткого замыкания элементов, покрытых алмазоподобными углеродными пленками, полученными из газовых смесей с различным содержанием азота. Проведено сопоставление со значениями плотности тока короткого замыкания необработанных солнечных элементов, показано их увеличение с ростом концентрации азота в газовой смеси во время осаждения пленки, что объясняется меньшим поглощением света в последней. Рассчитана оптимальная толщина пленок для максимального увеличения плотности тока короткого замыкания кремниевых солнечных элементов в условиях освещения АМ1.5 и АМ0. PACS: 81.05.Uw