Профиль » Публикация
Опубликовано
2006-00-00
ОрганизацияИнститут сильноточной электроники СО РАН, 634055 Томск, Россия e-mail: badik@loi.hcei.tsc.ru
ЖурналЖурнал Технической Физики
О формировании импульсов наносекундной длительности в XeBr-эксилампе барьерного разряда
Авдеев С.М., Костыря И.Д., Соснин Э.А., Тарасенко В.Ф. О формировании импульсов наносекундной длительности в XeBr-эксилампе барьерного разряда // ЖТФ, 2006, том 76, выпуск 7, Стр. 59
Аннотация
Приведены результаты исследований коаксиальных двухбарьерных эксиламп на молекулах XeBr* (lambda~282 nm) с малой длительностью импульса излучения. При возбуждении рабочей смеси высоковольтным импульсным разрядом наносекундной длительности в смеси Xe/Br2=70/1 при общем давлении 1 atm получена импульсная мощность излучения ~100 kW и длительность импульса излучения на полувысоте 4.5 ns. Показано, что при малых зазорах между барьерами могут быть получены длительности импульса излучения на полувысоте ~20 ns при частоте следования импульсов до 200 kHz. PACS: 42.72.-g
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален