Профиль » Публикация
Опубликовано
2006-00-00
Организация1 Институт теоретической физики, Клаустхаль-Целлерфельд, Германия 2 Институт ядерной физики М. Планка, Гейдельберг, Германия 3 Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия e-mail: shev@sci.lebedev.ru v.chevel
ЖурналЖурнал Технической Физики
Многоэлектронная ионизация атомов быстрыми ионами: приближение нормированных экспонент
Киршнер Т., Тавара Х., Толтихина И.Ю., Уланцев А.Д., Шевелько В.П., Штулькер Т. Многоэлектронная ионизация атомов быстрыми ионами: приближение нормированных экспонент // ЖТФ, 2006, том 76, выпуск 9, Стр. 22
Аннотация
Рассмотрены процессы многоэлектронной ионизации нейтральных атомов быстрыми положительными ионами в модели независимых частиц (МНЧ). Предложен относительно простой метод расчета вероятностей и сечений многоэлектронной ионизации в представлении параметра удара с использованием одноэлектронных вероятностей в виде нормированных экспонент pnl(b)= pnl(0)exp(-alphanlb), где b --- параметр удара, nl --- квантовые числа оболочки мишени. Показатель экспоненты alphanl определяется по борновским сечениям одноэлектронной ионизации электронов мишени, а предэкспонента pnl(0), т. е. вероятность ионизации при нулевом прицельном параметре --- по геометрической модели. Предложенный метод обеспечивает условие нормировки pnl(b)=<q 1 при всех скоростях и зарядах налетающих ионов и позволяет с точностью до фактора 2 вычислять сечения одно-, двух- и трехэлектронной ионизации, сумма которых дает основной вклад в полное сечение. Результаты расчетов сравниваются с экспериментальными данными и расчетами других авторов. PACS: 12.10.Dm
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален