Профиль » Публикация

Аннотация В газовом разряде оптогальваническим методом измерен коэффициент фотоэмиссии gammaph под действием резонансного излучения атомов гелия. Диапазон рабочих токов j/P2He от 2 до 1000 muA/cm2·Torr2 (j --- плотность тока, PHe --- давление газа) и напряженности поля на катоде E/N от 0.45 до 13 kTd (1 Td=10-17 V·cm2). До j/PHe2=10 muA/cm2·Torr2 наблюдается рост gammaph с дальнейшим насыщением на уровне gammaph=0.3±0.01. В отсутствие разряда gammaph=0.35±0.05. Сделан вывод о том, что эмиссионные свойства холодных катодов в газовом разряде определяются адсорбцией рабочего газа поверхностью катода и имплантацией рабочего газа в катод. С учетом этого пересмотрен вклад фотоэмиссии в ток разряда. Показано, что во всех благородных газах в нормальном и слабо аномальном разрядах при диаметре катода dc>> lc (lc --- длина области катодного слоя) разряд носит преимущественно фотоэлектронный характер. В легких благородных газах фотоэлектронный характер разряда сохраняется и для глубоко аномального разряда. С учетом имплантации атомов в катод рассчитана зависимость от энергии коэффициента gamma кинетической и потенциальной эмиссии для атомов гелия и проведено сравнение с имеющимися данными. Оценено влияние имплантации на величину gamma в вакууме. PACS: 79.60.-i