Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2007-00-00 ОрганизацияУльяновский государственный университет, 432970 Ульяновск, Россия e-mail: kosihinav@ulsu.ru ЖурналЖурнал Технической Физики

Влияние ионизирующих излучений на&nbsp;магниточувствительные свойства планарных симисторов

Косихин А.В., Бакланов С.Б., Новиков С.Г., Гурин Н.Т.

Косихин А.В., Бакланов С.Б., Новиков С.Г., Гурин Н.Т. Влияние ионизирующих излучений на магниточувствительные свойства планарных симисторов // ЖТФ, 2007, том 77, выпуск 1, Стр. 121

Аннотация Рассматриваются изменения магниточувствительных свойств многослойных полупроводниковых приборов, таких как планарно-диффузионные симисторы (ПДС), обусловленные дефектами смещения и ионизации посредством радиационного облучения структур. Выявлено, что в результате облучения возможно существенное повышение магниточувствительности ПДС. Исследованы процессы и механизмы, влияющие на повышение магниточувствительности в условиях действия ряда гальваномагнитных эффектов. PACS: 75.50.Pp, 81.40.Wx