Профиль » Публикация
Опубликовано
1997-00-00
ОрганизацияНаучно-исследовательский институт физики при Санкт-Петербургском государственном университете, 198904 Петродворец, Россия
ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"
Люминесценция кристаллов двуиодистой ртути
Акопян И.Х., Бондаренко Б.В., Волкова О.Н., Новиков Б.В., Павлова Т.А. Люминесценция кристаллов двуиодистой ртути // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 1, Стр. 67
Аннотация
Изучены низкотемпературные (4.2--130 K) спектры фотолюминесценции кристаллов HgI2 в спектральной области 540--700 nm. На основании анализа свойств (зависимостей интенсивности от температуры и интенсивности возбуждения, времен послесвечения, спектров возбуждения) полос излучения 560, 620 и 635 nm предложена следующая интерпретация: полоса 560 nm обусловлена излучательной аннигиляцией экситонов, локализованных на вакансиях ртути, за излучение в красной области отвечает рекомбинация на заполненный дырками акцепторный уровень свободных (620 nm) и локализованных на донорах (635 nm) электронов. Оценены энергии соответствующих донорных и акцепторных уровней. Обнаружены новые полосы излучения 545, 575 и 540 nm, обсуждена их природа.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален