Библиотека » Публикация (база данных scholar.ru)

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияТамбовский государственный университет им. Г.Р. Державина, 392622 Тамбов, Россия ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"


Дислокационное зондирование состояния дефектов решетки, возбужденных импульсом магнитного поля в ионных кристаллах
Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е., Киперман В.А., Лопатин Д.А.
Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е., Киперман В.А., Лопатин Д.А. Дислокационное зондирование состояния дефектов решетки, возбужденных импульсом магнитного поля в ионных кристаллах // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 4, Стр. 634
Аннотация Приведены результаты исследования влияния импульсного магнитного поля на состояние линейных и точечных дефектов ионных кристаллов. При различных амплитудах (1--7 T) и длительностях импульса поля (3· 10-5-102 s) в интервале температур 77--400 K исследованы кинетика перехода дефектов в новое состояние и их релаксация после выключения поля. Установлено, что релаксация состояний точечных дефектов носит преимущественно рекомбинационный характер, а изменение состояний дислокаций и точечных дефектов вносит неаддитивный вклад в изменение подвижности дислокаций. Экспозиция кристалла в магнитном поле приводит к увеличению подвижности дислокаций при механическом нагружении образца и уменьшению их смещений под действием повторного импульса поля.
Ключевые слова публикации:
       

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален