Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияИнститут физики высоких давлений им. Л.Ф.Верещагина Российской академии наук, 142092 Троицк, Московская обл., Россия * Imperial College, London SW7 2BZ, UK ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"


Влияние давления на концентрацию квазидвумерных носителей в системе GaSb/InAs/GaSb с квантовыми ямами
Вороновский А.Н., Дижур Е.М., Ицкевич Е.С., Каширская Л.М., Стрэдлинг Р.А.
Вороновский А.Н., Дижур Е.М., Ицкевич Е.С., Каширская Л.М., Стрэдлинг Р.А. Влияние давления на концентрацию квазидвумерных носителей в системе GaSb/InAs/GaSb с квантовыми ямами // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 4, Стр. 723
Аннотация Проведены измерения магнетосопротивления и ЭДС Холла в полях до 7 Т при 4.2 K под давлением до 2.5 GPa для систем с квантовыми ямами GaSb/InAs/GaSb различной ширины и с разным типом интерфейса. Из анализа осцилляций Шубникова--де Гааза (ШдГ) и зависимости компонент тензора магнетосопротивления в рамках классической модели с двумя типами носителей определена барическая зависимость концентраций электронов и дырок. Показано, что под давлением происходит переход от полуметаллического к полупроводниковому режиму проводимости.
Ключевые слова публикации:
     

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален