Профиль » Публикация

Аннотация Исследованы Кикучи-картины, возникающие при квазиупругом отражении электронов с энергией 0.6-2 keV от тонкого приповерхностного слоя монокристалла Si (111) 7x7. Показано, что для кремния, как и для металлов, результаты эксперимента вполне удовлетворительно описываются расчетами, выполненными в кластерном приближении однократного рассеяния, а также в модели, феноменологически учитывающей фокусировку отраженных электронов при их выходе из кристалла. Тем самым продемонстрировано, что при энергии E=2 keV эффект фокусировки (forward-focusing) играет основную роль в формировании Кикучи-картин, что позволяет их использовать для визуализации атомной структуры поверхности. Для наиболее плотноупакованных направлений кристалла установлены зависимости эффективности фокусировки от параметров атомных цепочек, вдоль которых распространяются электроны.