Профиль » Публикация
Опубликовано
1997-00-00
ОрганизацияИнститут физики Академии наук Украины, 252650 Киев, Украина
ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"
Джозефсоновский и одночастичный токи между частично-диэлектризованными сверхпроводниками с волнами зарядовой плотности
Войтенко А.И., Габович А.М. Джозефсоновский и одночастичный токи между частично-диэлектризованными сверхпроводниками с волнами зарядовой плотности // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 6, Стр. 991
Аннотация
Рассчитаны амплитуды нестационарного джозефсоновского I1, интерференционного I2 и квазичастичного J токов через симметричный и несимметричный туннельные контакты, включающие сверхпроводники с волнами зарядовой плотности. В симметричном (s) случае зависимость джозефсоновского тока I1s от напряжения V на контакте имеет логарифмические особенности при |eV|=2Delta, Delta+D и 2D, где D=sqrt((Delta2+Sigma2))sqrt, Delta и Sigma --- сверхпроводящий и диэлектрический параметры порядка, e --- элементарный заряд. При температурах T#0 в вольт-амперных характеристиках I1s(V) появляются скачки при |eV|=D-Delta. В токах I2s и Js скачки и сингулярности наблюдаются при тех же напряжениях, при которых в I1s имеют место сингулярности и скачки соответственно. В несимметричных (ns) контактах, включающих обычный сверхпроводник, особенности и скачки имеют место при |eV|=D+DeltaBCS, Delta+DeltaBCS и (при T#0) |D-DeltaBCS|, |Delta-DeltaBCS|, где DeltaBCS --- параметр порядка обычного сверхпроводника. Квазичастичный ток Jns является несимметричной функцией напряжения V и не зависит от знака Sigma. Результаты сравниваются с экспериментом.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален