Профиль » Публикация
Опубликовано
1997-00-00
Организация*Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия **Институт экспериментальной и прикладной физики Университета Регенсбурга, D-93040 Регенсбург, Германия
ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"
Ионизация глубоких примесных центров дальним инфракрасным излучением
Ганичев С.Д., Яссиевич И.Н., Преттл В. Ионизация глубоких примесных центров дальним инфракрасным излучением // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 11, Стр. 1905
Аннотация
Рассмотрены процессы ионизации глубоких примесных центров под влиянием мощного дальнего инфракрасного и субмиллиметрового излучения, когда энергия кванта света в десятки раз меньше энергии ионизации примеси. В широком диапазоне интенсивностей и длин волн терагерцовое электрическое поле возбуждающего излучения действует как постоянное поле. В этих условиях ионизация глубоких центров может быть описана как процесс многофононного туннелирования, при котором эмиссия носителей сопровождается туннелированием дефекта в конфигурационном пространстве и туннелированием электрона под влиянием электрического поля. Полевая зависимость вероятности ионизации позволяет определить времена туннелирования дефекта и характер их адиабатических потенциалов. Отклонение от полевой зависимости вероятности ионизации e(E) прапорционально exp (E2/E2c) (где E --- поле волны, а Ec --- характерное поле), соответствующей многофононной туннельной ионизации, имеет место при относительно малых полях, когда ионизация дефекта обусловлена эффектом Пул--Френкеля, и при очень больших полях, когда ионизация происходит благодаря эффекту прямого туннелирования без термоактивации. Рассмотрены эффекты, обусловленные высокой частотой излучения, и показано, что при низких температурах они становятся доминирующими.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален