Профиль » Публикация

Аннотация Рассчитаны полевые зависимости колебательного вклада в динамическую магнитную проницаемость muV(H) для тонкой (толщиной d~lambda) пластинки ВТСП в магнитном поле, параллельном ее поверхности. Данные зависимости получены на основе точного численного расчета вихревых структур как для термодинамически равновесной вихревой решетки, так и в присутствии сил пиннинга и поверхностного барьера Бина--Ливингстона. Показано, что кривые muV(H) являются весьма чувствительными к размерному фактору (d/lambda) и испытывают скачки, отвечающие изменению числа рядов вихрей. Оказалось, что равновесная зависимость muV(H) по характеру поведения и абсолютной величине (полученной при учете распределения по размерам и с соответствующими значениями lambda и varkappa) близка к экспериментальной зависимости muV(H), реализующейся при азотной температуре для мелкозернистого YBa2Cu3Ox с размерами зерен < D >~lambda при увеличении магнитного поля. Установлено, что основной причиной экспериментально наблюдаемого необратимого поведения кривых muV(H) при циклическом изменении магнитного поля является существование поверхностного барьера для выхода вихрей из сверхпроводника. Определены нижняя граница устойчивости смешанного состояния Hmin(B) при наличии идеального поверхностного барьера в тонкой пластинке ВТСП (d~lambda) и область реализации вихревого состояния (Hmax-Hmin) при неизменном количестве вихрей в зернах микронных размеров исследуемых образцов YBaCuO.