Профиль » Публикация

Аннотация Показано, что существование определенных топологических особенностей эквипотенциальных поверхностей затравочных носителей заряда вблизи уровня Ферми в сверхпроводнике может сказываться на характере температурных аномалий флуктуационных поправок. Получено выражение для флуктуационной поправки к проводимости в модели сверхпроводника, в которой высокие значения температуры перехода обусловлены увеличением плотности состояний затравочных носителей заряда в области вблизи поверхности Ферми, где константа взаимодействия отлична от нуля. Аномалия в плотности состояний приводит к неаналитичности частотной зависимости пропагатора куперовских пар и к изменению времени релаксации флуктуаций по отношению к классическому в теории БКШ. Это обстоятельство оказывается ответственным за усиление роли флуктуаций и повышение степени сингулярности температурных поправок. С этой точки зрения обсуждаются возможные интерпретации имеющихся в литературе экспериментальных данных.