Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.&nbsp;А.Ф.&nbsp;Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *&nbsp;Ноттингемский Университет, факультет физики, NG7 2RD Великобритания ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Аномальное воздействие магнитного поля на&nbsp;непрямой экситон в&nbsp;двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs

Криволапчук В.В., Мазуренко Д.А., Москаленко Е.С., Полетаев Н.К., Жмодиков А.Л., Ченг Т.С., Фоксон С.Т.

Криволапчук В.В., Мазуренко Д.А., Москаленко Е.С., Полетаев Н.К., Жмодиков А.Л., Ченг Т.С., Фоксон С.Т. Аномальное воздействие магнитного поля на непрямой экситон в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 803

Аннотация Исследовались спектры экситонной люминесценции в двойных квантовых ямах GaAs в электрическом и магнитном полях. Обнаружено, что линия непрямого экситона (IX) ведет себя аномальным образом: наблюдается индуцированный магнитным полем сдвиг IX в сторону низких энергий и возникновение периодических во времени (~5s) флуктуаций интенсивности линии IX.