Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники Российской академии наук, 141120 Фрязино, Московская обл., Россия ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Линейные коэффициенты фотоупругости в слоистых структурах с&nbsp;квантовыми ямами с наклонным дном в области экситонных резонансов

Аюханов Р.А., Шкердин Г.Н.

Аюханов Р.А., Шкердин Г.Н. Линейные коэффициенты фотоупругости в слоистых структурах с квантовыми ямами с наклонным дном в области экситонных резонансов // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 9, Стр. 1740

Аннотация Получено аналитическое выражение для линейных коэффициентов фотоупругости в слоистых структурах с квантовыми ямами (MQWS) с наклонным дном в области основного экситонного резонанса. Вычислены коэффициенты фотоупругости в сверхрешетке GaAs/Al0.28Ga0.72As на длинноволновом краю резонанса основного экситонного состояния. Показано, что эти коэффициенты для MQWS с наклоном дна, возникающим в варизонной квантовой яме, больше, а для наклона дна, задаваемого постоянным электрическим полем, приложенным к MQWS, меньше тех же величин в случае сверхрешетки с прямоугольной квантовой ямой. Для пьезоэлектрических сверхрешеток вычислена величина стимулированного наклоном дна квантовой ямы линейного вклада пьезополя в коэффициент фотоупругости и проведено его сравнение с вкладом, вносимым потенциалом деформации.