Профиль » Публикация

Аннотация Рассмотрен эффект резонансного туннелирования электронов через квазистационарные уровни в валентной зоне квантовой ямы в двухбарьерных структурах на основе материалов A3B5 с гетеропереходами второго типа в квантующем магнитном поле, направленном перпендикулярно гетерограницам. Вычислены коэффициенты пропускания туннельной структуры для переходов из состояний, соответствующих различным уровням Ландау с использованием модели Кейна. Показано, что возможны переходы с изменением номера уровня Ландау n на единицу за счет смешивания волновых функций состояний с противоположной спиновой ориентацией на гетерограницах из-за спин-орбитального взаимодействия. Причем вероятность таких переходов может быть сравнимой с вероятностью переходов без изменения номера уровня Ландау для туннельно-резонансных структур типа InAs / AlGaSb / GaSb.