Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Центр оптических исследований, Университет штата Аризона, Тусон AZ 85721, США ** Технический государственный университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Интердиффузия галлия и алюминия, индуцированная введением эрбия в&nbsp;квантовые структуры GaAs / AlGaAs

Гусев О.Б., Бер Б.Я., Бреслер М.С., Захарченя Б.П., Яссиевич И.Н., Хитрова Г., Гиббс Х.М., Принеас Д.П., Линдмарк Э.К., Мастеров В.Ф.

Гусев О.Б., Бер Б.Я., Бреслер М.С., Захарченя Б.П., Яссиевич И.Н., Хитрова Г., Гиббс Х.М., Принеас Д.П., Линдмарк Э.К., Мастеров В.Ф. Интердиффузия галлия и алюминия, индуцированная введением эрбия в квантовые структуры GaAs / AlGaAs // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 3, Стр. 540

Аннотация Экспериментально показано, что введение эрбия в структуры с квантовыми ямами GaAs / AlGaAs в процессе их выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии приводит к эффективной интердиффузии Ga и Al и диффузии Er вследствие усиленного образования вакансий, вызванного введением эрбия. Предложен механизм образования катионных вакансий, основанный на возникновении локальной деформации при введении эрбия. Показано, что эрбий взаимодействует с алюминием, и это взаимодействие вызывает образование в AlGaAs кластеров, содержащих эрбий и обогащенных алюминием.