Профиль » Публикация

Аннотация Обнаружено изменение положения и формы линии гистерезиса магнитомодулированного микроволнового поглощения при многократном перемагничивании ВТСП. Смещение сигнала растет с ростом магнитного поля, амплитуды его модуляции и времени сканирования исчезают при Tc, подчиняясь основным закономерностям температурного поведения линии в монокристаллах и в керамике. Появление его коррелирует с достижением критического состояния модулированных экранирующих токов контуров слабых связей, распределенных на поверхности образца, и может быть интерпретировано их взаимодействием в рамках модели обобщенного поверхностного барьера. Наблюдаемая анизотропия указывает на неелевский механизм взаимодействия.