Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.&nbsp;А.Ф.&nbsp;Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: Ivan.Ilyin@pop ioffe.rssi.ru ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Переходные и&nbsp;редкоземельные элементы в&nbsp;широкозонных полупроводниках SiC и&nbsp;GaN: последние исследования ЭПР &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;

Баранов П.Г., Ильин И.В., Мохов Е.Н., Храмцов В.А.

Баранов П.Г., Ильин И.В., Мохов Е.Н., Храмцов В.А. Переходные и редкоземельные элементы в широкозонных полупроводниках SiC и GaN: последние исследования ЭПР      // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 865

Аннотация Работа посвящена исследованиям электронного парамагнитного резонанса ионов переходных элементов в SiC и GaN и эрбия в 6H--SiC. Представлены данные по ионам Sc2+ и акцепторам скандия, по ионам хрома, молибдена в разных зарядовых состояниях в SiC. Изучены никель и марганец в номинально чистом GaN, выращенном сублимационным сэндвич-методом. Впервые исследован ЭПР эрбия в 6H--SiC. Эрбий идентифицирован по сверхтонкой структуре спектров ЭПР. Обсуждаются возможные модели эрбиевых центров в карбиде кремния. Наблюдалась интенсивная люминесценция ионов эрбия при комнатной температуре.