Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им.&nbsp;М.В.&nbsp;Ломоносова, 119899 Москва, Россия *&nbsp;Костромской государственный технологический университет, 156005 Кострома, Россия E-mail: zin@mol1223.phys.msu.su E-mail: PHYSICS@blocke.kti.kost ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Влияние магнитного поля на&nbsp;неупругие свойства кристаллов LiF

Тяпунина Н.А., Красников В.Л., Белозерова Э.П.

Тяпунина Н.А., Красников В.Л., Белозерова Э.П. Влияние магнитного поля на неупругие свойства кристаллов LiF // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 6, Стр. 1035

Аннотация Исследовано влияние слабого магнитного поля 0.1-0.8 T на внутреннее трение и дефект модуля Юнга кристаллов LiF в области амплитуд относительной деформации varepsilon0 от 10-6 до 10-4 на частотах 40 и 80 kHz. Показано, что при испытаниях в магнитном поле внутреннее трение возрастает, а эффективный модуль упругости уменьшается, что свидетельствует об увеличении пластичности образцов. Установлены зависимости внутреннего трения от величины магнитного поля при разных значениях амплитуды varepsilon0.