Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияНаучно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета им. М.В.&nbsp;Ломоносова, 119899 Москва, Россия * Институт радиоэлектроники Российской академии наук, 103907 Москва, Россия E-mail: andrva@srdlan.npi.msu.su ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Электронные и фононные эффекты в сверхпроводящих туннельных детекторах рентгеновского излучения

Андрианов В.А., Горьков В.П., Козин М.Г., Ромашкина И.Л., Сергеев С.А., Шпинель В.С., Дмитриев П.Н., Кошелец В.П.

Андрианов В.А., Горьков В.П., Козин М.Г., Ромашкина И.Л., Сергеев С.А., Шпинель В.С., Дмитриев П.Н., Кошелец В.П. Электронные и фононные эффекты в сверхпроводящих туннельных детекторах рентгеновского излучения // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 7, Стр. 1168

Аннотация Сверхпроводящие туннельные переходы Nb/Al/AlOx/Nb исследованы в качестве детекторов рентгеновского излучения. Амплитудные спектры импульсов, возникающих при облучении туннельных переходов различных размеров рентгеновским излучением 55Mn, были получены при температуре 1.4 K. Одновременно проводился анализ временной формы импульсов. Рассмотрено влияние диффузионного движения неравновесных квазичастиц, эффектов обратного туннелирования, а также обмена 2Delta-фононами между электродами на характеристики туннельных детекторов. Показано, что фононные процессы могут вызывать изменения амплитуды, длительности и полярности сигнала.