Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.&nbsp;А.Ф.&nbsp;Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Университет им.&nbsp;Гумбольдта, Берлин, Германия ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Селективная лазерная спектроскопия локализованных экситонов в&nbsp;твердых растворах GaSe--GaTe в&nbsp;магнитном поле &nbsp;&nbsp;

Старухин А.Н., Разбирин Б.С., Чугреев А.В., Хапп М., Хеннебергер Ф.

Старухин А.Н., Разбирин Б.С., Чугреев А.В., Хапп М., Хеннебергер Ф. Селективная лазерная спектроскопия локализованных экситонов в твердых растворах GaSe--GaTe в магнитном поле    // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 8, Стр. 1389

Аннотация Методом селективной лазерной спектроскопии исследован эффект Зеемана в спектрах излучения локализованных экситонов в твердых растворах полупроводников. Показано, что тонкая структура, появляющаяся в спектрах излучения кристаллов GaSe1-xTex при резонансном монохроматическом возбуждении в магнитном поле, обусловлена спиновой релаксацией рожденных светом локализованных экситонов между их зеемановскими подуровнями. Измерена величина g-фактора локализованных экситонов и его зависимость от энергии образования локализованных экситонов и состава твердого раствора.