Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияСеверо-кавказский научный центр высшей школы, 344104 Ростов-на-Дону, Россия E-mail:&nbsp;gufan@gufan.rnd.runnet.ru ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Магнитная восприимчивость и&nbsp;анизотропия глубины проникновения магнитного поля в&nbsp;высокотемпературных оксидных сверхпроводниках

Гуфан Ю.М., Левченко И.Г., Рудашевский Е.Г.

Гуфан Ю.М., Левченко И.Г., Рудашевский Е.Г. Магнитная восприимчивость и анизотропия глубины проникновения магнитного поля в высокотемпературных оксидных сверхпроводниках // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 9, Стр. 1552

Аннотация Построена феноменологическая теория анизотропии глубины проникновения магнитного поля (lambdaialpha) в высокотемпературных сверхпроводниках с учетом анизотропии магнитной восприимчивости поверхностного слоя (chiik). Изменение анизотропии lambdac/lambdaab в 1.9 раза при 4% замещении в YBa2Cu3O7 ионов Cu на Co практически полностью обязано увеличению анизотропии магнитной восприимчивости. При замещениях Cu--Zn изменение lambdac/lambdaab характеризует в основном изменение анизотропии тензора обратных эффективных масс носителей заряда (пар).