Профиль » Публикация
Опубликовано
1999-00-00
ОрганизацияИнститут физики Академии наук Украины, 252022 Киев, Украина E-mail: collphen@marion.iop.kiev.ua
ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"
Джозефсоновские и квазичастичные токи в туннельных переходах между частично-диэлектризованными сверхпроводниками с волнами спиновой плотности
Войтенко А.И., Габович А.М. Джозефсоновские и квазичастичные токи в туннельных переходах между частично-диэлектризованными сверхпроводниками с волнами спиновой плотности // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 10, Стр. 1743
Аннотация
Рассчитаны вольт-амперные характеристики (ВАХ) джозефсоновских, интерференционных и квазичастичных компонент тока через туннельный переход, образованный двумя сверхпроводниками с волнами спиновой плотности (ВСП). Рассмотрение основано на модели частичной диэлектризации поверхности Ферми и в предположении пиннинга ВСП. Детально исследуются частные случаи: несимметричные переходы ВСП сверхпроводник --- обычный сверхпроводник и симметричные переходы между двумя тождественными ВСП сверхпроводниками. Определены положение и характер особенностей ВАХ. Для симметричного контакта предсказана возможность существования несимметричных ВАХ. Расчеты качественно согласуются с обнаруживаемым в эксперименте поведением ВАХ туннельных и микроконтактов, включающих ВСП сверхпроводник с тяжелыми фермионами URu2Si2.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален