Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: D.Shamshur@shuvpop.ioffe.rssi.ru ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"


Разрушение током сверхпроводящего состояния в трехмерной решетке слабосвязанных гранул индия в опале
Романов С.Г., Шамшур Д.В.
Романов С.Г., Шамшур Д.В. Разрушение током сверхпроводящего состояния в трехмерной решетке слабосвязанных гранул индия в опале // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 4, Стр. 581
Аннотация Вольт-амперные характеристики (ВАХ) композита металл--диэлектрик, представляющего собой гранецентрированную кубическую решетку большого числа слабосвязанных наногранул индия, стабилизированную в структурных полостях опала, исследованы в области резистивного состояния вблизи температуры сверхпроводящего перехода (Tc). Отклик на СВЧ-облучение был использован для характеризации резистивного состояния композита. На основе сравнительного изучения ВАХ и отклика композита на СВЧ-излучение был сделан вывод о сверхпроводимости слабых связей в области критического тока (Ic) композита как целого. Переход слабых связей в резистивное состояние происходит при токах, непосредственно предшествующих переходу композита из резистивного в омическое состояние. На основе морфологии предложена модель резистивности композита индий-опал как состояния, в котором диссипация энергии происходит из-за квазидискретного (в силу квантования магнитного потока на контурах 3M решетки многосвязных гранул) перераспределения транспортного тока по сечению композита. Данная работа была выполнена при финансовой поддержке фонда Сороса (грант N R53000); НТП "Сверхпроводимость" (проект N 96099) и РФФИ (проект N 99-02-18156).
Ключевые слова публикации:
     

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален