Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияТбилисский государственный университет, 280028 Тбилиси, Грузия Кутаисский государственный университет, 384000 Кутаиси, Грузия ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

К механизму остаточного фотомеханического эффекта

Герасимов А.Б., Чирадзе Г.Д., Кутивадзе Н.Г., Бибилашвили А.П., Бохочадзе З.Г.

Герасимов А.Б., Чирадзе Г.Д., Кутивадзе Н.Г., Бибилашвили А.П., Бохочадзе З.Г. К механизму остаточного фотомеханического эффекта // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 4, Стр. 683

Аннотация Приведены результаты исследования остаточного фотомагнитного эффекта (ФМЭ) при разных температурах методом микроиндетирования образца после выключения света в монокристаллическом n-Si. Показано, что уменьшение величины остаточного ФМЭ имеет экспоненциальный характер в зависимости как от времени, так и от температуры.