Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияСибирский физико-технический институт, 634050 Томск, Россия E-mail: kanc@spti.tsu.ru ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Туннелирование электронов через тонкий барьер с плавным потенциалом на гетерограницах GaAs/AlAs(001)

Гриняев С.Н., Караваев Г.Ф.

Гриняев С.Н., Караваев Г.Ф. Туннелирование электронов через тонкий барьер с плавным потенциалом на гетерограницах GaAs/AlAs(001) // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 4, Стр. 752

Аннотация Методами псевдопотенциала и матрицы рассеяния, факторизованными по неприводимым представлениям группы симметрии гетероструктуры, исследовано влияние реального микроскопического потенциала на характеристики резонансного туннелирования электронов из Gamma-долины GaAs через барьер AlAs толщиной в одну постоянную решетки. Переходные области между потенциалами компонент и барьерная область рассматриваются как составные части периода сверхрешетки Ga2Al2As4, чтобы обеспечить непрерывность кристаллического потенциала на границах сшивания волновых функций. Показано, что по сравнению с результатами модели с резкой границей при учете реального потенциала меняется число и положение Фано-резонансов, усиливается локализация электронной плотности в барьере резко увеличивается время туннелирования. Работа выполнена при поддержке программы Миннауки "Поверхностные атомные структуры" (проект N 5.12.99).