Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияИнститут физики Академии наук Украины, 03039 Киев, Украина E-mail:vvti@iop.kiev.ua ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Влияние процессов энергетической релаксации локализованных экситонов на&nbsp;спектр излучения одиночных квантовых ям ZnS--ZnSe

Бондарь Н.В.

Бондарь Н.В. Влияние процессов энергетической релаксации локализованных экситонов на спектр излучения одиночных квантовых ям ZnS--ZnSe // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 8, Стр. 1486

Аннотация Исследована зависимость спектров экситонной фотолюминесценции квантовых ям ZnS--ZnSe с различными концентрациями центров локализации от интенсивности возбуждения и температуры. Показано хорошее совпадение формы экспериментальной полосы низкотемпературной фотолюминесценции, и рассчитанной в модели прыжков экситона на ближайший центр локализации, и в модели, учитывающей переходы локализованного экситона на все центры его локального окружения. Определены параметры, характеризующие локализованные экситоны в данных квантовых структурах субмонослойной толщины. Работа поддержана Государственным фондом фундаментальных исследований Украины (проект 2.4/86).