Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияТомский государственный архитектурно-строительный университет, 634003 Томск, Россия E-mail: lisitsyn@list.epd.tpu.edu.ru ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"


Радиолюминесценция ионизованных электронных центров окраски в кристаллах LiF
Лисицына Л.А.
Лисицына Л.А. Радиолюминесценция ионизованных электронных центров окраски в кристаллах LiF // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 1, Стр. 25
Аннотация Методами импульсной спектрометрии исследовалась фотолюминесценция (ФЛ), изменение оптического поглощения и радиолюминесценции (РЛ) со временем после окончания воздействия импульса электронов на кристаллы LiF при различных режимах облучения и исходной радиационной дефектности. Выявлено различие свойств РЛ и ФЛ ионизованных F+2- и F+3-центров, обнаружено существование нескольких механизмов радиационного создания каждого из центров, отличающихся энергетическими и кинетическими параметрами, а также характером температурных зависимостей. Доказано, что ионизованные центры в излучательном состоянии образуются в процессе взаимодействия соответствующего нейтрального центра с дырками разной степени термализации. Предложен механизм возбуждения свечения этих центров. Работа выполнена при финансовой поддержке Миннауки (грант по направлению "Лазерная физика").
Ключевые слова публикации:
       

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален