Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияЗапорожский государственный технический университет, 690063 Запорожье, Украина * Institut fur Allgemeine Physik, Technische Universitat Wien, A-1040, Wien, Austria ** Донецкий государственный университет, 340055 Донецк, Украина E-mail: gkornich@zstu.zapor ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов в&nbsp;кристалле алюминия при&nbsp;бомбардировке ионами низких энергий

Корнич Г.В., Бетц Г., Бажин А.И.

Корнич Г.В., Бетц Г., Бажин А.И. Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов в кристалле алюминия при бомбардировке ионами низких энергий // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 1, Стр. 30

Аннотация Выполнено молекулярно-динамическое моделирование атомных каскадов столкновений, инициируемых нормально падающими на поверхность кристалла Al(100) ионами Ar и Xe с энергиями 25, 40 и 50 eV при температуре кристалла 300 K. Обсуждается образование вакансий, радиационно-адсорбированных и межузельных атомов в каскаде. Показано, что при бомбардировке Al ионами Xe числа образуемых в каскадах поверхностных и объемных вакансий имеют два максимума в интервалах 0.2-0.3 и 0.7-1.0 ps с начала каскада, тогда как в случае Ar генерации вакансий имеют один максимум в интервале 0.2-0.3 ps. Работа поддержана грантом GZ 41002 / 8-19 / 91 Венского технического университета. Один из авторов (Г.В.К.) считает своим приятным долгом выразить признательность Австрийскому фонду научных исследований за предоставление финансовой поддержки во время его работы в Institut fur Allgemeine Physik, Technische Universitat Wien, Австрия.