Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники Российской академии наук, 141120 Фрязино, Московская обл., Россия E-mail: gns277@ire216.msk.su ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Эффект увеличения фотоупругости в&nbsp;сверхрешетках вблизи&nbsp;междузонных резонансов, стимулированный локализацией носителей в&nbsp;квантовой яме

Аюханов Р.А., Шкердин Г.Н.

Аюханов Р.А., Шкердин Г.Н. Эффект увеличения фотоупругости в сверхрешетках вблизи междузонных резонансов, стимулированный локализацией носителей в квантовой яме // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 3, Стр. 508

Аннотация Получено аналитическое выражение для резонансной диэлектрической проницаемости и линейных коэффициентов фотоупругости в слоистых структурах с квантовыми ямами вблизи межзонных резонансов. Показано, что в таких структурах величина резонансной фотоупругости значительно больше, чем в объемном случае и может превышать фотоупругость вблизи резонанса объемного экситона. Отмечено, что такой результат связан с локализацией невзаимодействующих электрона и дырки в слое с квантовой ямой и такая система вблизи межзонного резонанса определяет упруго-оптические свойства сверхрешетки подобно экситону в объемном кристалле.