Профиль » Публикация

Аннотация Изучен механизм начальных стадий силицидообразования при нанесении Co в диапазоне 1-10 монослоев на нагретый кристалл Si(111) 7x 7. При получении структурных данных использовался оригинальный метод дифракции неупруго отраженных электронов средней энергии, отображающий атомное строение поверхностных слоев в реальном пространстве. Элементный состав анализируемой приповерхностной области исследовался методом электронной Оже-спектроскопии. Показано, что в условиях реактивной эпитаксии на Si(111) растет эпитаксиальная пленка CoSi2(111) B-ориентации. При этом на начальных стадиях нанесения кобальта (1-3 монослоя) реализуется островковая мода роста. Элементный состав поверхности пленки CoSi2(111) толщиной около 30 Angstrem такой же, как у объемного дисилицида кобальта, и она оканчивается триадой монослоев Si-Co-Si. Работа выполнена в рамках направления "Поверхностные атомные структуры" (проект N 5.10.99).