Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияИнститут кристаллографии Российской академии наук, 117333 Москва, Россия * Технологический университет Чалмерса, S-41296 Гетеборг, Швеция E-mail: mechan@ns.crys.ras.ru ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Симметричные ВТСП бикристаллические джозефсоновские переходы: зависимость электрофизических свойств от&nbsp;угла разориентации

Кислинский Ю.В., Степанцов Е.А., Иванов З.Г., Клаесон Т.

Кислинский Ю.В., Степанцов Е.А., Иванов З.Г., Клаесон Т. Симметричные ВТСП бикристаллические джозефсоновские переходы: зависимость электрофизических свойств от угла разориентации // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 4, Стр. 581

Аннотация Исследовалась зависимость электрофизических свойств переходов на симметричных бикристаллических границах в ВТСП-пленках от угла разориентации в диапазоне 8-45o. Переходы были получены выращиванием эпитаксиальных пленок YBa2Cu3O7 на бикристаллических подложках Y--ZrO2. Пропорциональное соотношение характерных напряжений и нормальных проводимостей переходов получено как следствие из зависимостей критических токов и нормальных сопротивлений от угла разориентации. Для объяснения результатов использована модель сверхпроводник--диэлектрик с уровнями дефектов в запрещенной зоне--сверхпроводник. Отклонения от пропорционального соотношения объясняются неоднородностью переходов. Сделаны оценки толщины эффективного диэлектрического слоя бикристаллического перехода и боровского радиуса электронов на дефектах. Работа частично финансировалась Российским фондом фундаментальных исследований и программой ИНТАС Европейского союза.