Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.&nbsp;А.Ф.&nbsp;Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: akimov@os.ioffe.rssi.ru ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Энергетическая релаксация экситонов на&nbsp;акустических фононах в&nbsp;структурах с&nbsp;двойными квантовыми ямами

Мазуренко Д.А., Акимов А.В.

Мазуренко Д.А., Акимов А.В. Энергетическая релаксация экситонов на акустических фононах в структурах с двойными квантовыми ямами // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 4, Стр. 719

Аннотация Анализируется скорость энергетической релаксации с испусканием акустического фонона между экситонными состояниями в двойной квантовой яме. Теоретически исследуется роль двух механизмов: одноступенчатый переход с испусканием акустического фонона и двухступенчатый, который включает упругое рассеяние экситона на неоднородностях интерфейса с последующей энергетической релаксацией внутри экситонной подзоны. Показано, что в реальных двойных квантовых ямах скорость двухступенчатого перехода оказывается выше одноступенчатого. На основании расчета сделан вывод о том, что быстрая энергетическая релаксация между экситонными состояниями определяется упругим рассеянием экситонов на интерфейсе. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 99-0218276), а также Программной поддержки молодых ученых Президиума РАН.