Профиль » Публикация
Опубликовано
2001-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: mam@beam.ioffe.rssi.ru
ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"
Рентгендифрактометрическое изучение влияния буфера на микроструктуру молекулярно-пучковой эпитаксии InN-слоев разной толщины
Ратников В.В., Мамутин В.В., Векшин В.А., Иванов С.В. Рентгендифрактометрическое изучение влияния буфера на микроструктуру молекулярно-пучковой эпитаксии InN-слоев разной толщины // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 5, Стр. 913
Аннотация
Тонкие слои InN выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии на (0001) подложках сапфира. Методами двух- и трехкристальной рентгеновской дифрактометрии изучалось влияние тонкого (15 nm) InN --- буфера и его температурных обработок на структурное качество выращиваемых слоев. Найдено, что предварительный высокотемпературный (900oC) отжиг буфера приводит к резкому улучшению качества выращиваемых на нем слоев. При удалении от интерфейса (~ 1 mum) снижаается плотность как вертикальных винтовых (до 1.9· 108 cm-2), так и вертикальных краевых (до 1.3· 1011 cm-2) дислокаций. Работа проводились при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 99-02-17103, 98-02-18309 и 00-02-16760).
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален