Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Академии наук Украины, 03028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Диэлектрический отклик кристалла с&nbsp;приповерхностным нарушенным слоем в&nbsp;области продольно-поперечного расщепления

Венгер Е.Ф., Гончаренко А.В., Завадский С.Н.

Венгер Е.Ф., Гончаренко А.В., Завадский С.Н. Диэлектрический отклик кристалла с приповерхностным нарушенным слоем в области продольно-поперечного расщепления // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 6, Стр. 1135

Аннотация Рассмотрена модель диэлектрической функции приповерхностного слоя, возникающего в результате механической обработки поверхности кристалла, в области оптических колебаний решетки. Для учета влияния дислокаций предложен подход, основанный на непрерывном распределении дипольно-активных колебаний. Показано, что используемая модель позволяет удовлетворительно описать снижение отражательной способности SiC6H с полированной поверхностью в окрестности частоты поперечного оптического фонона.