Профиль » Публикация

Аннотация Методами импульсной спектрометрии с наносекундным разрешением исследованы спектрально-кинетические параметры инициированных воздействием импульса электронов (ИЭ) нестационарного поглощения и свечения кристаллов LiF. Измерения проведены в спектральной области 6 eV, в температурном диапазоне 11-150 K и временном интервале 10-8-10 s после окончания действия ИЭ. Показано, что воздействие ИЭ приводит к созданию в кристалле LiF помимо F-, Vk- и H-центров короткоживущих дефектов двух типов, различающихся спектральным положением поглощательных и излучательных переходов, временем жизни и характером температурной зависимости эффективности создания. Центры типа I имеют поглощательные переходы на 5.5 и 5.1 eV и излучательный на 5.8 eV, центры типа II --- поглощательные переходы на 5.3 и 4.75 eV и излучательный переход на 4.4 eV. Установлено, что в интервале 11-150 K изменение количественного соотношения между типами короткоживущих центров не влияет на величину квантового выхода F-центров. Предполагается, что обнаруженные центры представляют собой автолокализованные экситоны различного типа. Работа выполнена при финансовой поддержке программы "Университеты России".