Профиль » Публикация

Аннотация Исследовано влияние поверхностного барьера на поведение поверхностного импеданса Z сверхпроводника второго рода. Рассмотрение проведено на примере пластины конечной толщины, находящейся в постоянном поле H0, перпендикулярном или параллельном плоскости пластины. Показано, что в перпендикулярной геометрии поверхностное сопротивление rhos=Re Z имеет максимум в условиях, при которых глубина проникновения переменного поля становится порядка толщины пластины (размерный эффект). При параллельной ориентации магнитного поля H0 влияние поверхностного барьера Бина--Ливингстона проявляется в уменьшении диссипативных потерь и в изменении полевой зависимости поверхностного сопротивления, которая в данном случае имеет гистерезисный характер. Впервые показано, что в условиях сохранения захваченного магнитного потока зависимость rhos(H0) является убывающей функцией, что приводит, в частности, к нетривиальному подавлению размерного эффекта. Работа поддержана грантами Российского фонда фундаментальных исследований (N 01-02-16593), Минпромнауки РФ (проект N 107-1 (00)) и Минобразования (N E 00-3.4-331), а также Международным центром перспективных исследований (Н. Новгород; грант N 99-02-3).