Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.&nbsp;А.Ф.&nbsp;Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *CNRS-GES, Universite de Montpellier&nbsp;II, 34095 Montpellier, France **CNRS-CRHEA, Sophia-Antipolis, 06560 Valbonne, France ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Ударная ионизация экситонов в&nbsp;электрическом поле в&nbsp;GaN и&nbsp;квантовых ямах GaN/AlGaN

Нельсон Д.К., Якобсон М.А., Каган В.Д., Жиль Б., Гранжан Н., Бомон Б., Масси Ж., Жибар П.

Нельсон Д.К., Якобсон М.А., Каган В.Д., Жиль Б., Гранжан Н., Бомон Б., Масси Ж., Жибар П. Ударная ионизация экситонов в электрическом поле в GaN и квантовых ямах GaN/AlGaN // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 12, Стр. 2223

Аннотация Исследовался эффект ударной ионизации экситонных состояний в эпитаксиальных пленках GaN и в структурах с квантовыми ямами GaN/AlGaN. Исследование проводилось оптическим методом, основанном на наблюдении гашения экситонной фотолюминесценции при приложении электрического поля. Установлено, что в процессе релаксации электронов по энергии и импульсу рассеяние на примесях преобладает над рассеянием на акустических фононах. Оценена средняя длина свободного пробега горячих электронов. В квантовых ямах GaN/AlGaN средняя длина свободного пробега горячих электронов оказалась на порядок величины больше, чем в эпитаксиальных пленках GaN, что обусловлено уменьшением вероятности рассеяния электронов в двумерном случае. Работа была частично поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 00-02-16952).