Профиль » Публикация
Опубликовано
2001-00-00
ОрганизацияИнститут физики Национальной академии наук Украины, 03650 Киев, Украина E-mail: collphen@iop.kiev.ua
ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"
Динамические силы изображения вблизи границ раздела полупроводник--вакуум: роль квантовомеханических поправок
Войтенко А.И., Габович А.М. Динамические силы изображения вблизи границ раздела полупроводник--вакуум: роль квантовомеханических поправок // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 12, Стр. 2230
Аннотация
Методом теории возмущений рассчитана энергия динамических сил изображения, действующих на зараженную частицу, движущуюся перпендикулярно границе раздела полупроводник--вакуум или в вакуумном промежутке между двумя полупроводниками. В используемом диэлектрическом подходе учитываются пространственная и временная дисперсии диэлектрических функций электродов. Показано, что необходимо принимать во внимание квантомеханический характер экранировки. В частности, динамические поправки к статическим силам изображения оказываются меньшими по сравнению с таковыми в квазиклассической модели. Таким образом, расширяется область внешних электростатических полей и энергий частиц, где применим используемый метод теории возмущений. Работа выполнена при частичной поддержке Украинского фонда фундаментальных исследований.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален