Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.&nbsp;Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Реактивная эпитаксия дисилицида кобальта наSi (100)

Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Валдайцев Д.А., Фараджев Н.С.

Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Валдайцев Д.А., Фараджев Н.С. Реактивная эпитаксия дисилицида кобальта наSi (100) // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 6, Стр. 1126

Аннотация Изучен процесс роста дисилицида кобальта на грани Si (100) в условиях реактивной эпитаксии при T=350oC в диапазоне толщин напыленного кобальта 10-40 ML. Исследование проведено с помощью нового метода визуализации атомного строения приповерхностного слоя неупруго отраженными электронами средней энергии. Показано, что сформированные пленки состоят из зерен CoSi2 (221) четырех азимутальных ориентаций, развернутых на 90oC друг относительно друга. Такая доменная структура обусловлена фасетированием поверхности подложки плоскостями (111), происходящим в процессе силицидообразования. На фасетках (111) эпитаксиально растут слои CoSi2(111) с B-ориентацией. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-17288) и МПНТ (направление \glqq Поверхностные атомные структуры\grqq, проект N 5.10.99).